英特爾介紹Intel4工藝:2倍密度,性能提升20%

英特爾于今日已分享了一些有關其下一代 Intel 4 工藝的消息，該工藝可以用于intel的大部分產(chǎn)品上。包括旗下的最新cpu處理器。該技術不僅提升了電腦硬件的性能，而且降低了消耗，可能會給英特爾下世代帶來極大的收益。

 據(jù)報道，該工藝將用于 2023 年發(fā)布的產(chǎn)品，它是英特爾第一個采用 EUV 的工藝。

 Intel 4 將首先用于英特爾即將推出的 Meteor Lake 處理器，該處理器將屬于英特爾第 14 代酷睿家族。除了在工藝技術上取得顯著進步外，Meteor Lake 還將成為英特爾的第一個基于 tile / chiplet 的客戶端 CPU，使用 I / O 內核、CPU 內核和 GPU 內核等 tile 模塊。

英特爾公布的數(shù)據(jù)顯示，Intel 4 的鰭片間距降至 30 納米，是 Intel 7 的 34 納米間距尺寸的 0.88 倍。同樣，接觸柵之間的間距現(xiàn)在為 50nm，低于之前的 60nm。英特爾聲稱 Intel 4 的密度是 Intel 7 的 2 倍，或者更具體地說，晶體管的尺寸減少了一半。

此外，新工藝對金屬層進行了重大更改。英特爾在其 Intel 7 工藝的最底層用鈷代替了銅，該公司認為出于晶體管壽命的原因，這是必要的。然而，從性能的角度來看，鈷并沒有那么好，長期以來人們一直懷疑鈷是英特爾 Intel 7 的主要絆腳石之一。

對于 Intel 4，英特爾仍在使用鈷，但現(xiàn)在他們使用的不是純鈷，而是所謂的增強銅 (eCu)，即銅包覆鈷。

性能方面，報道稱在 0.65v 的等功率下，Intel 4 的頻率與 Intel 7 相比提高了 21.5%。在 0.85v 及以上時，等功率增益接近 10%。

英特爾稱，Intel 4 在電源效率方面的收益更大。在等頻（ 2.1 GHz 左右）下，Intel 4 的功耗降低了 40%。隨著頻率的增加，收益遞減。